Россия строит собственную дорожную карту производства чипов до 2037 года

EUV без ASML: ксеноновая плазма и зеркала Ru/Be вместо олова

Институт физики микроструктур РАН представил детальную дорожную карту развития отечественных систем EUV-литографии на период с 2026 по 2037 годы. План предусматривает переход от 40-нм технологий к суб-10-нм процессам, при этом Россия предлагает альтернативный путь, не копируя решения ASML, пишет PEPELAC.NEWS.

В основе концепции лежат гибридные твердотельные лазеры, источники излучения на ксеноновой плазме и зеркала из рутения и бериллия, работающие на длине волны 11,2 нм. Такой подход должен снизить загрязнение фотошаблонов, характерное для олова, упростить обслуживание и уменьшить себестоимость оборудования.

Этапы развития включают выпуск первой установки для 40-нм техпроцессов к 2028 году, запуск сканера на 28 нм (с возможностью 14 нм) к 2032 году и выход на суб-10-нм нормы к 2036 году с производительностью более 100 пластин в час. При этом новая система потенциально сможет покрывать диапазон от 65 до 9 нм и оставаться дешевле западных аналогов.

Проект крайне амбициозен, но его успех зависит от решения множества проблем: длина волны 11,2 нм пока не признана отраслевым стандартом, а значит, потребуется разработка новой оптики и расходных материалов. Если Россия сумеет реализовать задуманное, она не только обеспечит собственные потребности, но и сможет предложить альтернативу мировому рынку, особенно странам, ограниченным в доступе к технологиям ASML.