Samsung готовится к росту спроса на память HBM4 в 2026–2027 годах

Инновации Samsung: zHBM и память с интегрированными вычислениями ускорят обработку AI

Samsung ожидает, что интерес к её микросхемам памяти останется высоким в 2026 и 2027 годах, особенно на фоне растущего спроса со стороны AI-платформ, требующих больших объёмов высокопроизводительной памяти. В 2025 году продажи HBM3E уже показали значительный рост, а в этом году компания запускает новый формат HBM4, который по отзывам корпоративных клиентов демонстрирует высокую производительность и стабильность работы.

Как сообщает PEPELAC.NEWS, Samsung активно развивает технологию гибридного соединения для HBM, позволяющую снизить тепловое сопротивление стеков 12H и 16H на 20% и уменьшить нагрев базового кристалла на 11%. Кроме того, инновационная zHBM-структура размещает кристаллы по оси Z, увеличивая пропускную способность в 4 раза при снижении энергопотребления на 25%, что особенно важно для серверных систем и облачных центров обработки данных.

Помимо этого, компания экспериментирует с HBM, оснащённой встроенными вычислительными возможностями (processing-in-memory, PIM). Такая память позволяет ускорить вычислительные задачи почти в три раза без ущерба для энергоэффективности. Эти разработки подчеркивают стремление Samsung укрепить лидерство на рынке высокопроизводительной памяти и предложить решения, соответствующие требованиям современных облачных и AI-систем.