Прорыв в Китае: создан твердотельный лазер для производства микросхем

Китай на пороге производства собственных чипов благодаря новой лазерной технологии

Исследователи из Китайской академии наук (CAS) достигли значительного прогресса, создав твердотельный источник лазера глубокого ультрафиолета (DUV) с длиной волны 193 нм. Эта разработка предназначена для использования в фотолитографии, которая является критически важной для производства полупроводников, пишет PEPELAC.NEWS.

Отличаясь от стандартных литографических систем, применяемых такими компаниями, как ASML, Canon и Nikon, которые используют газовые эксимерные лазеры, новая китайская система полагается на твердотельный кристалл Yb:YAG. Этот кристалл инициирует процесс, который не требует газов, снижая эксплуатационные расходы и потенциально увеличивая эффективность производства.

Текущий прототип CAS способен генерировать свет с длиной волны 193 нм с мощностью 70 мВт и частотой 6 кГц, что пока не соответствует требованиям для коммерческого производства полупроводников. Однако, с улучшениями, эта технология может позволить Китаю значительно продвинуться в создании собственной индустрии полупроводников, сокращая зависимость от зарубежных технологий и укрепляя свои технологические позиции на мировом рынке.