Samsung создаёт HBF-память для центров обработки ИИ

Высокополосная флэш-память станет новым шагом в инфраструктуре дата-центров
Автор: Владислав Дегтярёв , Редактор Фото: © A. Krivonosov
В мире

Samsung Electronics официально приступила к ранней стадии разработки HBF (High Bandwidth Flash) — принципиально нового типа памяти, которая должна повысить эффективность центров обработки данных и инфраструктуры искусственного интеллекта. По данным fnnews, компания ведёт концептуальное проектирование и исследования, однако точные спецификации и сроки выхода продукта пока не раскрываются, пишет PEPELAC.NEWS.

Сегодня рынок изучает два пути развития HBF: «NAND-версию HBM», которую продвигают SanDisk и SK Hynix, и решение Kioxia, представленное как PCIe-устройство с многотерабайтной ёмкостью. Samsung предстоит выбрать стратегию, но эксперты отмечают, что у компании есть сильная база — опыт работы с Z-NAND и полный цикл производства.

Для ИИ-систем, работающих с колоссальными массивами данных, традиционные SSD становятся узким местом. HBF может стать промежуточным уровнем между NAND и DRAM, обеспечивая баланс скорости и надёжности. В случае успеха Samsung сможет укрепить лидерство в сегменте серверных решений для искусственного интеллекта.

Samsung есть все шансы опередить конкурентов, благодаря экосистеме серверных технологий и контролю всего производственного цикла. Однако компания рискует столкнуться с проблемами стандартизации и высокой себестоимости, что может затормозить внедрение. Судьба HBF во многом зависит от того, сумеет ли Samsung предложить решение, превосходящее альтернативные разработки, включая CXL-модули и AI-SSD.