https://mybryansk.ru/news/id-112211-ssha-mogut-vvesti-100-poshliny-na-importiruemuju-dram-pamjat
США могут ввести 100% пошлины на импортируемую DRAM-память
Память под ударом: США хотят ввести 100% пошлину на импортную DRAM
США могут ввести 100% пошлины на импортируемую DRAM-память
Память под ударом: США хотят ввести 100% пошлину на импортную DRAM
2026-01-20T17:10+03:00
2026-01-20T17:10+03:00
2026-01-20T17:10+03:00
/html/head/meta[@name='og:title']/@content
/html/head/meta[@name='og:description']/@content
https://mybryansk.ru/uploads/prew/inner_webp/siJ7SrdI8yYtC5jodeR.WEBP
Производители оперативной памяти DRAM столкнулись с новой угрозой: США рассматривают возможность введения 100% таможенных пошлин на микросхемы, произведённые за пределами страны. Об этом заявил министр торговли США Говард Лютник, подчеркнув, что меры могут затронуть все компании, не имеющие производственных мощностей на территории США.Инициатива вписывается в политику «Сделано в США», активно продвигаемую на фоне роста значимости полупроводников для развития искусственного интеллекта. Ранее меры поддержки и ограничения касались в основном производства процессоров, но теперь фокус смещается в сторону памяти — ключевого ресурса для ИИ-систем.На данный момент единственным крупным производителем DRAM в США остаётся Micron. Остальные гиганты отрасли, включая Samsung и SK hynix, хотя и объявили о многомиллиардных инвестициях в американские предприятия, не планируют разворачивать производство DRAM в ближайшее время. Samsung сосредоточилась на других типах чипов, а SK hynix инвестирует в 2.5D-упаковку и исследовательские центры в Индиане, но не в полноценное производство памяти.Если инициатива получит одобрение, под удар также попадут тайваньские производители, включая Nanya Technology и Winbond Electronics. Это может перераспределить глобальные цепочки поставок и привести к новому витку роста цен на фоне и без того высокой стоимости памяти из-за растущего спроса со стороны ИИ-рынка.Аналитики издания «Пепелац Ньюс» предупреждают, что такие меры создают риски для стабильности мировой технологической инфраструктуры и могут замедлить внедрение новых продуктов, требующих больших объёмов DRAM, включая нейросетевые ускорители, серверы и продвинутые потребительские устройства.
Мой Брянск
info@mybryansk.ru
Мой Брянск
2026
В мире
ru-RU
Мой Брянск
info@mybryansk.ru
Мой Брянск
Мой Брянск
info@mybryansk.ru
Мой Брянск
США могут ввести 100% пошлины на импортируемую DRAM-память
Память под ударом: США хотят ввести 100% пошлину на импортную DRAM
Автор:
Алексей Новиков
, Редактор Фото: © A. Krivonosov
Производители оперативной памяти DRAM столкнулись с новой угрозой: США рассматривают возможность введения 100% таможенных пошлин на микросхемы, произведённые за пределами страны. Об этом заявил министр торговли США Говард Лютник, подчеркнув, что меры могут затронуть все компании, не имеющие производственных мощностей на территории США.
Инициатива вписывается в политику «Сделано в США», активно продвигаемую на фоне роста значимости полупроводников для развития искусственного интеллекта. Ранее меры поддержки и ограничения касались в основном производства процессоров, но теперь фокус смещается в сторону памяти — ключевого ресурса для ИИ-систем.
На данный момент единственным крупным производителем DRAM в США остаётся Micron. Остальные гиганты отрасли, включая Samsung и SK hynix, хотя и объявили о многомиллиардных инвестициях в американские предприятия, не планируют разворачивать производство DRAM в ближайшее время. Samsung сосредоточилась на других типах чипов, а SK hynix инвестирует в 2.5D-упаковку и исследовательские центры в Индиане, но не в полноценное производство памяти.
Если инициатива получит одобрение, под удар также попадут тайваньские производители, включая Nanya Technology и Winbond Electronics. Это может перераспределить глобальные цепочки поставок и привести к новому витку роста цен на фоне и без того высокой стоимости памяти из-за растущего спроса со стороны ИИ-рынка.
Аналитики издания «Пепелац Ньюс» предупреждают, что такие меры создают риски для стабильности мировой технологической инфраструктуры и могут замедлить внедрение новых продуктов, требующих больших объёмов DRAM, включая нейросетевые ускорители, серверы и продвинутые потребительские устройства.