Прорыв в Китае: создан твердотельный лазер для производства микросхем

Китай на пороге производства собственных чипов благодаря новой лазерной технологии
Автор: Владислав Дегтярёв , Редактор Фото: © D. Novikov
В мире

Исследователи из Китайской академии наук (CAS) достигли значительного прогресса, создав твердотельный источник лазера глубокого ультрафиолета (DUV) с длиной волны 193 нм. Эта разработка предназначена для использования в фотолитографии, которая является критически важной для производства полупроводников, пишет PEPELAC.NEWS.

Отличаясь от стандартных литографических систем, применяемых такими компаниями, как ASML, Canon и Nikon, которые используют газовые эксимерные лазеры, новая китайская система полагается на твердотельный кристалл Yb:YAG. Этот кристалл инициирует процесс, который не требует газов, снижая эксплуатационные расходы и потенциально увеличивая эффективность производства.

Текущий прототип CAS способен генерировать свет с длиной волны 193 нм с мощностью 70 мВт и частотой 6 кГц, что пока не соответствует требованиям для коммерческого производства полупроводников. Однако, с улучшениями, эта технология может позволить Китаю значительно продвинуться в создании собственной индустрии полупроводников, сокращая зависимость от зарубежных технологий и укрепляя свои технологические позиции на мировом рынке.